Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум
Смотреть все анкеты сотрудников

Тихов Станислaв Викторович

Кафедра Физики полупроводников и оптоэлектроники
Должность Доцент
Ученая степень к.ф.-м.н.
Дата рождения 08.08.1941
Email tikhov@phys.unn.ru
Контактный телефон (831) 465-64-75
Основные публикации 1. Барьер Шоттки Pd/n-GaAs как фотодетектор водорода /С. В. Тихов, В. П. Лесников, В. В. Подольский, М. В. Шилова //ЖТФ, 1995, 65, 11, 120-125. 2. Применение метода сильносигнальной конденсаторной фотоэдс для определения параметров /С. В. Тихов //ФТП, 1995, 29, 742-749. 3. Датчик водорода на основе структуры Pd/SiO2/Si с барьером Шоттки /С. Г. Сажин, С. В. Тихов, В. В. Подольский, М. В. Шилова //Приборы и системы управления, 1997, 7, 44-45. 4. Об отрицательной плотности ПС в МДП-структурах / С. В. Тихов. В. В. Мартынов, И. А. Карпович, М. В. Ходакович //ФТП, 1987, т. 21, в. 8, 1536-1540. 5. Влияние анодного окисления на глубокие уровни в арсениде галлия / С. В. Тихов, А. П. Касаткин, И. А. Карпович, И. В. Кудрявцева //ФТП, 1989, 23, 1634-1638.
Биография Станислав Викторович Тихов. Родился 08.08. 1941 г. в г. Арзамас Горьковской области. В 1965 г. закончил Горьковский госуниверситет. В 1972г. защитил кандидатскую диссертацию, в 1975г. получил звание доцента. С 1969г. работал на кафедре физики диэлектриков и полупроводников. С1997г. – на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ. Заинтересован в связях с зарубежными учебными заведениями, изучающими электронные явления в МДП-структурах, структурах с барьером Шоттки, гетероструктурах и фирмами, занимающимися разработкой на этой основе микроэлектронных датчиков на водородосодержащие газы.
Дополнительная информация Автолюбительство, садоводство, пешие прогулки по лесу, сбор ягод и грибов


 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100