Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум
Смотреть все анкеты сотрудников

Ершов Алексей Валентинович

Ершов А.В.
Кафедра Физики полупроводников и оптоэлектроники
Должность доцент
Ученая степень к.ф.-м.н.
Ученое звание доцент
Дата рождения 12.03.1960
Email ershov@phys.unn.ru
Контактный телефон +7(831) 465-64-75
Область научных интересов Тема кандидатской диссертации:"Модификация свойств аморфного кремния при изовалентном легировании германием".
Область научных интересов: физика и технология тонких пленок, аморфных полупроводников, наноструктур, покрытий для оптоэлектроники.
Основные публикации 1. Сравнительное исследование люминесцентных свойств многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiO/ZrO2, подвергнутых высокотемпературному отжигу и гидрогенизации / А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум и др. // Вестник Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского. – 2009. – Т 4. – С. 45-52.
2. Свойства наноструктур Al2O3:nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия / Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов и др. // Физика твердого тела. – 2009. – Т. 51, вып. 2. – С. 385-392.
3. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B.N. Zvonkov, A.A. Biryukov, A.V. Ershov, et. al. // Appl. Phys. Lett. – 2008. – V. 92. – P. 021122-(1-3).
4. Influence of the nature of oxide matrix on the photoluminescence spectrum of ion-synthesized silicon nanostructures / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov // Thin Solid Films. – 2006. – V. 515, N 1. – P. 333-337.
5. Кремниевые нанопроволоки. Структура и свойства / А.В. Нежданов, А.И. Машин, А.В. Ершов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – .№ 2. – С. 36-39.
6. Surface morphology and optical properties of thin-film antireflection coatings for high-power semiconductor laser diodes / A.V. Ershov, E.I. Malysheva, S.M. Nekorkin, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, V.V. Levichev // Proc. of Int. Workshop “Scanning probe micr oscopy – 2003”, March 2-5 2003, Nizhni Novgorod. – N. Novgorod: IPM RAS, 2003. – P. 143-145.
7. Электронный транспорт в многослойных наноструктурах a-Si/SiO2 / А.В. Ершов, И.А. Чучмай, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин // Известия вузов. Электроника. – 2001. – N 4. – С. 57-60.
8. Хохлов А.Ф., Чучмай И.А, Ершов А.В. Особенности поглощения в наноструктурах a-Si/ZrOx // Физика и техн. полупр. – 2000. – Т. 34, вып. 3. – С. 349-353.
9. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами / Н.Б. Звонков, С.А. Ахлёстина, А.В. Ершов, Б.Н. Звонков, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова // Квантовая электроника. – 1999. – Т. 26, N 3. – С. 217-218.
10. Germanium Implantation into Amorphous Silicon Films / A.V. Ershov, A.A. Ezhevskii, A.F. Khokhlov, D.A. Khokhlov, A.I. Mashin, N.I. Mashin // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. – 1995. – Vol. 106 B. – P. 257-261.
Биография Окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (ГГУ) в 1982 году по специальности "Физика полупроводников и диэлектриков". По распределению поступил на должность инженера кафедры электроники твердого тела ГГУ. В 1985 году поступил в очную аспирантуру ГГУ на кафедру кристаллографии и оптоэлектроники (научный руководитель - проф. Хохлов А.Ф.). Кандидат физ.-мат. наук (1988), ст. преподаватель (1991), доцент (1995) кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ.
Читает лекции по спецкурсам: "Физика аморфных и нанокристаллических полупроводников", "Физико-химические основы технологии микро- и наноструктур", "Физика методов формирования тонкопленочных структур".
Автор более 170 научных публикаций, 1 изобретения, 1 патента РФ и 1 международного патента, 36 учебно-методических изданий.


 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100