Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум
Смотреть все анкеты сотрудников

Данилов Юрий Александрович

Данилов Ю.А.
Кафедра Физики полупроводников и оптоэлектроники
Должность доцент
Ученая степень к.ф.-м.н.
Ученое звание с.н.с.
Дата рождения 19.01.1946
Email danilov@phys.unn.ru
Контактный телефон (831) 465-63-65
Область научных интересов Ионная имплантация в полупроводники А3В5 - легирование и ионно-лучевая изоляция; исследование и модифицирование свойств квантово-размерных структур на GaAs; формирование ферромагнитных полупроводниковых слоев для приборов спинтроники.
Основные публикации
1.Павлов П.В., Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. Морфологические и структурные изменения InSb при ионной бомбардировке. – Доклады Академии Наук СССР, 1979, т.248, в.5, с.1111-1114.
2.J.P.de Souza, I.Danilov, H.Boudinov. Electrical isolation in GaAs by light ion irradiation: the role of antisite defects. - Appl.Phys.Letters 1996, v.68, No.4, pp.535-537.
3.I.Danilov, J.P.de Souza, H.Boudinov, J.Bettini, M.M.G.de Carvalho. Electrical isolation of InGaP by proton and helium ion irradiation – J.Appl.Phys. 2002, v.92, no.8, pp.4261-4265
4.Ю.А.Данилов, М.А.А.Пудензи, А.В.Мурель, Е.А.Питиримова, А.Ф.Хохлов. Действие дополнительного ионного облучения на формирование р-слоев GaAs, имплантированного углеродом – Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2001, в.5, с.79-82.
5. DorokhinM.V., DanilovYu.A., DeminaP.B., KulakovskiiV.D., VikhrovaO.V., ZaitsevS.V., ZvonkovB.N. EmissionpropertiesofInGaAs/GaAsheterostructureswithdelta<Mn>-dopedbarrier– J.Phys.D: Appl.Phys. 2008, v.41, P.245110.
6. Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs / Yu.A. Danilov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov, S. Nicolodi, E.R. Zhiteytsev, N.M. Santos, M.C. Carmo, N.A. Sobolev // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – V.42. – P.035006_1-5.
Биография

Закончил физический факультет ГГУ в 1969 году по специальности "Полупроводники и диэлектрики". После службы в армии с 1971 года работал в ГИФТИ сначала инженером, потом младшим научным сотрудником в отделе 2. С 1975 по 1979 годы обучался в заочной аспирантуре (руководитель проф.Павлов П.В.). В 1979 году защитил кандидатскую диссертацию "Исследование ионно-имплантированного антимонида индия и структур на его основе". Работал с.н.с., потом зав. отделом 2, потом снова с.н.с. в том же отделе до 1995 года. С марта 1995 по сентябрь 2001 года работал в Бразилии приглашенным исследователем сначала в Федеральном университете штата Рио Гранде до Сул (г.Порту Алегре), затем в Университете штата Сан Паулу в г.Кампинас. С октября 2001 года докторант на кафедре ФПО (научный консультант - проф.Хохлов А.Ф.).

После 2004 года основное место работы - НИФТИ ННГУ. В настоящее время - заведующий лабораторией эпитаксиальной технологии. По совместительству - доцент кафедры ФПО. Руководил аспирантами, успешно защитившими кандидатские диссертации - М.В. Дорохиным (год защиты 2007) и А.В. Кудриным (2009).



 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100