Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум
Смотреть все анкеты сотрудников

Павлов Дмитрий Алексеевич

Кафедра Физики полупроводников и оптоэлектроники
Должность зав. кафедрой, профессор
Ученая степень доктор физ.-мат. наук
Ученое звание профессор
Дата рождения 16.10.1960
Email Pavlov@unn.ru
Контактный телефон +7 (831) 462-33-07
Область научных интересов Тема кандидатской диссертации: "Структура и свойства аморфного кремния, легированного изовалентными примесями". Тема докторской диссертации: «Структурная модификация пленок кремния в процессе роста и легирования». Область научных интересов - наноэлектроника, нанофотоника и спинтроника квантово-размерных гетеронаностуктур на основе кремния, германия и полупроводников A3B5, высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская энерго-дисперсионная спектрометрия.
Автор 320 научных и учебно-методических работ. Резюме, Curriculum vitae.
Под руководством проф. Д.А. Павлова защищено 7 кандидатских диссертаций:
1. Шенгуров Дмитрий Владимирович. Структура и электрические свойства легированных пленок поликристаллического кремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. 01.04.10 - физика полупроводников. Дата защиты: 29.04.1998 г.
2. Шиляев Павел Анатольевич. Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 28.09.2005 г.
3. Николичев Дмитрий Евгеньевич. Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 08.04.2009 г.
4. Кривулин Николай Олегович. Особенности формирования наноразмерных кристаллических слоев кремния на сапфире.  01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 03.10.2012 г.
5. Боряков Алексей Владимирович. Анализ состава оксидных слоёв с термокристаллизованными нановключениями кремния. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 18.03.2015 г.
6. Бобров Александр Игоревич. Исследование полей упругих деформаций и напряжений в массивах вертикально упорядоченных Ge(Si)-наноостровков. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 25.12.2015 г.
7. Малехонова Наталья Викторовна. Профилирование состава гетеронаноструктур методами Z-контраста и рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии.  01.04.07 – Физика конденсированного состояния. Дата защиты: 21.12.2016 г.
Участие в подготовке и защите докторской диссертации в роли научного консультанта:
1. Дорохин Михаил Владимирович. Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник A3B5. 01.04.10 – физика полупроводников. Дата защиты: 26.12.2016 г.
 
Основные публикации

2014
 

  1. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite //Scientific Reports.- 2014.- V. 4, No. 4280.- P. 1-6.- DOI: 10.1038/srep04280.- Web of Science.- Impact factor - 5.078.
  2. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands//Appl. Phys. Lett.- 2014.- V. 105, No. 161910.- P. 1-5.- DOI: 10.1063/1.4900554.- Web of Science.-Impact factor - 3.739.
  3. Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions//Phys. Rev. B. 2014.- V. 90, No. 024415.- P. 1-7.- DOI: 10.1103/PhysRevB.90.024415.- Web of Science.- Impact factor - 3.767.
  4. Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A.Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes //Journal of Luminescence.- 2014.- V. 155, No. 1.- P. 1–6.- DOI: 10.1016/j.jlumin.2014.05.038.- Web of Science.- Impact factor - 2.144.
  5. Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дёмина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией//Физика твердого тела.- 2014.- Т. 56, вып. 10.- С. 2062-2065. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/10/p2062-2065.pdf. Translated version: Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection//Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No. 10.- P. 2131-2134.- DOI: 10.1134/S1063783414100102.- Web of Science.-Impact factor - 0.782.
  6. Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx/ZrO2, содержащей нанокластеры кремния//Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 1.- С. 44‑48. http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p44-48.pdf. Translated version: Ershov A.V., Pavlov D.A., Grachev D.A., Bobrov A.I., Karabanova I.A., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I. Annealing Induced Evolution of the Structural and Morphological Properties of a Multilayer Nanoperiodic SiOx/ZrO2System Containing Si Nanoclusters//Semiconductors.- 2014.- V. 48, No. 1.- P. 42–45. DOI: 10.1134/S1063782614010114.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  7. Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+//Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 2.- С. 212-216. http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p212-216.pdf. Translated version: Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasiliev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+Implanted Silicon //Semiconductors.- 2014.- V. 48, No. 2.- P. 199–203.- DOI: 10.1134/S1063782614020183.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  8. Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb //Физика твердого тела.- 2014.- Т. 56, вып. 3.- С. 607-610. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/03/p607-610.pdf. Translated version: Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Impregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities//Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No. 3.- P. 631–634.- DOI: 10.1134/S1063783414030093.- Web of Science.-Impact factor - 0.769.
  9. Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота //Письма в ЖТФ.- 2014.- Т. 40, № 9.- С. 9-17. http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/09/p9-16.pdf. Translated version: Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles //Technical Physics Letters.- 2014.- V. 40, No. 5.- P. 369-371.- DOI: 10.1134/S1063785014050137.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
  10. Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами//Перспективные материалы.- 2013.- № 8.- С. 18-23. http://elibrary.ru/item.asp?id=20155276. Translated version: Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons //Inorganic Materials: Applied Research.- 2014.- V. 5, No. 2.- P. 133–137. DOI: 10.1134/S2075113314020063.- Scopus.- Impact factor – 0,38.
  11. Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции//Известия высших учебных заведений. Материалыэлектроннойтехники.- 2014.- № 4.- С. 252-256. Translated version: Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials.- 2015.- V. 1, No.2.- P. 33-37. DOI: 10.1016/j.moem.2015.11.007.
  12. Грачев Д.А., Ершов А.В., Суровегина Е.А., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптические и структурные свойства отожженных многослойных нанопериодических систем Ge/SiO2, содержащих нанокристаллы германия//Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- № 1 (2).- 2014.- С. 59-63. - http://www.unn.ru/pages/e-library/vestnik/19931778_2014_-_1-2_unicode/8.pdf.- Импакт-фактор РИНЦ 2013 – 0.130.
  13. Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония  //Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- № 1 (2).- 2014.- С. 80-83. -  http://www.unn.ru/pages/e-library/vestnik/19931778_2014_-_1-2_unicode/11.pdf .- Импакт-фактор РИНЦ 2013 – 0.130.

2015
 

  1. Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 98‑101. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p98-101.pdf. Translated version: Pavlov D.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 95–98. DOI: 10.1134/S1063782615010194.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  2. Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С.Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 3-5. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p3-5.pdf. Translated version: Pavlov D.A., Bidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 1–3. DOI: 10.1134/S1063782615010182.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  3. Tetelbaum D. I., Mikhaylov A. N., Belov A. I., Korolev D. S., A. N. Shushunov, Bobrov A. I., Pavlov D. A., Shek E. I., Sobolev N. A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping //Phys. Stat. Sol. (c).- 2015.- V. 12, No. 1-2.- P. 84-88.- DOI: 10.1002/pssc.201400099.
  4. Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 11-14. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p11-14.pdf. Translated version: Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Nekorkin S. M., Pirogov A.V., Pavlov D.A. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 9–12. DOI: 10.1134/S1063782615010054.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  5. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 58-62. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p58-62.pdf. Translated version: Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 55–59. DOI: 10.1134/S1063782615010133.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  6. Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 122‑127. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p122-127.pdf. Translated version: Romanova Yu.Yu., Dodin E.P., Nozdrin Yu.N., Biryukov A.A., Baidus N.V., Pavlov D.A., Malekhonova N.V. Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 118–123. DOI: 10.1134/S1063782615010236.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  7. Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 2.- С. 160‑162. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/02/p160-162.pdf. Translated version: Krivulin N.O., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 2.- P. 154–156. DOI: 10.1134/S1063782615020153.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  8. Байдакова Н.А., Бобров А.И, Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 8.- С. 1129‑1135. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/08/p1129-1135.pdf. Translated version: Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 8.- P. 1104–1110. DOI: 10.1134/S1063782615080059.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  9. Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота //Письма в ЖТФ.- 2015.- Т. 41, № 11.- С. 62-70. http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/11/p62-70.pdf. Translated version: Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions//Technical Physics Letters.- 2015.- V. 41, No. 6.- P. 543–546.- DOI: 10.1134/S1063785015060048.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
  10. Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А.,Сайед С. Применение кобальта в спиновых светоизлучающих диодах Шоттки с квантовыми ямами InGaAs/GaAs //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные инейтронные исследования.- 2015.- № 7.- С. 57-60. Translated version: Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., Saeid S. Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells //Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques.-2015.- V. 9, No. 4.- P. 706-709.- DOI: 10.1134/S1027451015040059.- Web of Science.- Impact factor - 0.359.
  11. Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor //Materials Science and Engineer-ing B.-2015.- V.194, No. 4.- P. 48-54.- DOI:10.1016/j.mseb.2014.12.029.- Web of Science.- Impact factor - 2.169.
  12. Юрасов Д.В., Бобров А.И., Данильцев В.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ//Физика и техника полупроводников.- 2015.-  Т. 49, вып. 11.- С. 1463-1468. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/11/p1463-1468.pdf. Translated version: Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., YuninP.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 11.- P. 1415–1420. DOI: 10.1134/S1063782615080059.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  13. Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Smirnov A.E., Nikolitchev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. – 2015.– V. 643. – P.012082. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012082.

2016
 

  1. Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. – 2016. – Т.42, вып. 1. – С.72-79.- http://journals.ioffe.ru/pjtf/2016/01/p72-79.pdf. Tranlated version: Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters.- 2016.- V. 42, No. 1.- P. 36-39. DOI: 10.1134/S1063785016010089.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
  2. Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN //Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.274-278.- http://journals.ioffe.ru/ftp/2016/02/p274-278.pdf.- Tranlated version: Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemukhin A.A., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride //Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 2.- P. 271–275.- DOI: 10.1134/S1063782616020135.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  3. Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Fefelov A.G., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S. M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskiy A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate //Appl. Phys. Lett.- 2016.- V. 109, No. 061111.- P. 1-5.- DOI: 10.1063/1.4961059.- Web of Science.-Impact factor - 3.739.
  4. Mikhaylov A.N., Gryaznov E.G., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Tikhov S.V., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., Rosário C.M.M., Sobolev N.A., Spagnolo B. Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials //Phys. Stat. Sol. C.- 2016.- P. 1-12.- DOI10.1002/pssc.201600083.
  5. Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering //Journal of Physics: Conference Series.- 2016.- V. 741, No. 012174.- P. 1-7.-DOI:10.1088/1742-6596/741/1/012174.
  6. Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике //Физика и техника полупроводников.- 2016.- Т. 50, вып. 11.- С. 1463-1468.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43774.- Tranlatedversion: DorokhinM.V., PavlovD.A., BobrovA.I., DanilovYu.A., LesnikovV.P., ZvonkovB.N., ZdoroveyshchevA.V., KudrinA.V., DeminaP.B., UsovYu.V., NikolichevD.E., KryukovR.N., ZubkovS.Yu. FabricationofMnGa/GaAscontactsforoptoelectronicsandspintronicsapplications//Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 11.- P. 1443–1448.- DOI:10.1134/S1063782616110087.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  7. Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников.- 2016.- Т. 50, вып.11.- С. 1473-1478.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43776.-  Tranlated version: Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P.. Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov U.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films //Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 11.- P. 1453–1457.- DOI: 10.1134/S1063782616110105.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
  8. Грачев Д.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Аспекты обработки изображений просвечивающей электронной микроскопии композитных структур, содержащих нанокристаллы германия и кремния //Научная визуализация.- 2016.- Т. 5,  № 8.- С. 113-121.- http://sv-journal.org/2016-5/10.php?lang=ru.

 
2017
 

  1. Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster //J. Appl. Phys.- 2017.- V.121, No. 014308.- P. 1-6.- DOI: 10.1063/1.4973490.- Web of Science.- Impact factor - 2.04.
  2. Buzynin Yu., Shengurov V., Zvonkov B., Buzynin A., Denisov S., Baidus N., Drozdov M., Pavlov D., Yunin P. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: Development and characteristics //AIP Advances.- 2017.- V. 7, No. 015304.- P. 1-6.- DOI: 10.1063/1.4974498.- WebofScience.- Impactfactor– 1.496.
Биография   
    Родился в 1960 году в г. Горьком (Нижний Новгород). Окончил факультет прикладной физики и микроэлектроники (физический факультет) Горьковского государственного университета в 1983 г. по специальности физика полупроводников и диэлектриков. В том же году был принят по распрделению на должность инженера в Горьковский научно-исследовательский приборостроительный институт (ГНИПИ). В 1985 г. переведён в Горьковский (Нижегородский) госуниверситет на должность ассистента кафедры кристаллографии. (Впоследствии эта кафедра меняла своё название и была реорганизована. В настоящее время это кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники.) Кандидат физ.-мат. наук (1990), старший преподаватель (1991), доцент (1994), зам. декана по информационным сетям (1997-2003), доктор физ.-мат. наук (2001), профессор (2002), заведующий кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники (2003)

Информация обновлена:13.08.2015



 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100