Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум

Физические и физико-химические основы ионной имплантации - 2006

04.10.2006 14:24:41  Последнее обновление ›11.10.2006 12:25:13 (new)
Физические и физико–химические основы ионной имплантации - 2006
Программа конференции

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО НАУКЕ И ИННОВАЦИЯМ

РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им.Н.И.ЛОБАЧЕВСКОГО

ННГУ

I Всероссийская конференция

ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

ПРОГРАММА

24-27 октября 2006 года Нижний Новгород

Оргкомитет конференции:

Максимов Г.А. - д.х.н., проф., председатель оргкомитета, Нижний Новгород;
Тетельбаум Д.И. - д.ф.-м.н., проф., зам. председателя оргкомитета, в.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;
Герасименко Н.Н. - д.ф.-м.н., проф., зам. председателя оргкомитета, МИЭТ (ТУ), Москва;
Карзанов В.В. - к.ф.-м.н., доц., ученый секретарь оргкомитета, ННГУ, Нижний Новгород;
Баянкин В.Я. - д.т.н., проф., ФТИ УрО РАН, Ижевск;
Вяткин А.Ф. - д.ф.-м.н., проф., зам. директора ИПТМ РАН, Черноголовка, Московская обл.;
Гапонов С.В. - д.ф.-м.н., проф., чл.-корр. РАН, директор ИФМ РАН, Нижний Новгород;
Горшков О.Н. - к.ф.-м.н., доц., директор НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;
Качурин Г.А. - д.ф.-м.н., проф., в.н.с. ИФП СО РАН, Новосибирск;
Костюков В.Е. - к.т.н., директор НИИИС им.Ю.Е.Седакова, Нижний Новгород;
Курнаев В.А. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. МИФИ(ТУ), Москва;
Пархоменко Ю.Н. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. МИСИС (ТУ), Москва;
Титов А.И. - д.ф.-м.н., проф., С-ПГПУ, С.-Петербург;
Тулинов А.Ф. - д.ф.-м.н., проф., МГУ, Москва;
Трушин Ю.В. - д.ф.-м.н., проф., в.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Хайбуллин И.Б. - д.ф.-м.н., проф., чл.-корр. РАН, уч.секретарь АН Республики Татарстан, Казань;
Чупрунов Е.В. - д.ф.-м.н., проф., проректор ННГУ по научной работе, Нижний Новгород;
Шаркеев Ю.П. - д.ф.-м.н., ИФПМ СО РАН, Томск.

Программный комитет конференции

Герасименко Н.Н. - д.ф.-м.н., проф., сопредседатель программного комитета, МИЭТ (ТУ), Москва;
Тетельбаум Д.И. - д.ф.-м.н., проф., сопредседатель программного комитета, в.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;
Данилов Ю.А. - к.ф.-м.н., с.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;
Демидов Е.С. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. ННГУ, Нижний Новгород;
Козловский В.В. - д.ф.-м.н., проф., С-ПГПУ, С.-Петербург;
Маковийчук М.И. - к.ф.-м.н., в.н.с. ИМИ РАН, Ярославль;
Оболенский С.С. - д.т.н., доц., ННГУ, Нижний Новгород;
Павлов Д.А. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. ННГУ, Нижний Новгород;
Похил Г.П. - к.ф.-м.н., в.н.с. НИИЯФ МГУ, Москва;
Скупов В.Д. - к.ф.-м.н., с.н.с. НИИИС им.Ю.Е.Седакова, Нижний Новгород;
Хайбуллин Р.И. - к.ф.-м.н., с.н.с. КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;
Хмелевская В.С. - д.ф.-м.н., проф., ИАТЭ(ТУ), Обнинск, Калужская обл.

24 октября, вторник.

8.00 - 10.00 Регистрация участников конференции.

10.00 - 11.15 Открытие конференции.

Председатель - д.ф.м.н., проф. Д.И.Тетельбаум.

1. Вступительное слово председателя оргкомитета (Г.А.Максимов).
Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского
2. Н.Н.Герасименко.
Актуальные проблемы ионной имплантации и модификации материалов ионными пучками (по материалам конференции IBMM-2006).

Московский институт электронной техники (ТУ)

Перерыв 15 мин.

11.30 - 12.30

СЕКЦИЯ 1. Физические проблемы имплантации в полупроводники. Образование и отжиг радиационных дефектов.

Председатель - д.ф.м.н., проф. Е.С.Демидов.

1. Д.И. Тетельбаум.

Физические проблемы и инженерия дефектов при ионной имплантации кремния.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

40 мин.

2. А.Ю. Азаров 1), А.И. Титов 2), С.О. Кучеев 3).

Накопление структурных нарушений в GaN и Si при облучении кластерными ионами.

1) Научно-производственное предприятие “Электрон-Оптроник”, Санкт-Петербург
2) Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3) Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, USA

20 мин.

Перерыв на обед

14.00 - 15.20

СЕКЦИЯ 1 (продолжение).

Председатель - к.ф.м.н., доц. О.Н.Горшков.

3. Р.М.Баязитов.

Фото - и термовозбуждение при импульсном лазерном отжиге имплантированных полупроводников.
Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

20 мин.

4. П.П.Трохимчук1,2).
Лазерный отжиг и релаксационная оптика: перспективы применения.
1) Волынский госуниверситет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2) Луцкий биотехнический институт Международного научно-технического университета, Украина

20 мин.

5. Н.Н.Герасименко, Н.Н.Герасименко (мл), А.Н.Тарасенков.
Аномальное накопление дефектов при имплантации в Si ионов F+.
Московский институт электронной техники (ТУ)

20 мин.

6. Н.Н.Герасименко, Е.Н.Питиримова, А.Н.Тарасенков, Д.А.Павлов.
Аморфизация кремния бомбардировкой ионами фтора.
Московский институт электронной техники (ТУ)

20 мин.

Перерыв 15 мин.

15.35 - 16.55

СЕКЦИЯ 1 (продолжение).

Председатель - д.ф.-м.н., проф. А.И. Титов.
7. В.В. Козловский1), П.А. Иванов2), К.В.Емцев1), В.Н. Ломасов1), Т.П. Самсонова2). Ионно-стимулированные процессы на границе раздела металл полупроводник при повышенных температурах протонного облучения.
1) Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2) Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

20 мин.

8. Г.П.Похил1), В.П.Попов2), М.А. Ильницкий2), В.Б.Фридман1).
Нестабильность работы DRAM и бистабильные водородные дефекты.
1) Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им.М.Ю.Ломоносова
2) Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск

20 мин.

9. А.В. Скупов, В.Д. Скупов, С.В. Оболенский.
Исследование методом компьютерного моделирования влияния переходных слоев гетерокомпозиции «диоксид кремния - кремний - сапфир» на параметры профилей пространственного распределения ионов и радиационных дефектов при ионно-лучевом легировании.
ФГУП «ФНПЦ НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Н. Новгород

20 мин.

10. Я.В.Фаттахов, М.Ф.Галяутдинов, Т.И.Львова, М.В.Захаров, И.Б.Хайбуллин.
Исследование динамики рекристаллизации кремния, имплантированного ионами фосфора с различными режимами имплантации во время быстрого термического отжига.
Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

20 мин.

25 октября, среда.

10.00 - 11.00

СЕКЦИЯ 2. Физические проблемы ионной имплантации в неполупроводниковые материалы.

Председатель - д.т.н., проф.В.Я.Баянкин.
1. В.С.Хмелевская.
Наносостояния в облученных материалах.
Обнинский государственный технический университет атомной энергетики

20 мин.

2.Ю.П.Шаркеев1), И.А.Курзина2), И.А.Божко2), М.П.Калашников2), Э.В.Козлов2). Формирование наноразмерных интерметаллидов в никель и титансодержащих металлических системах при имплантации ионов металлов.
1) Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
2) Томский государственный архитектурно-строительный университет

20 мин.

3. А.А.Новоселов, Ф.З.Гильмутдинов, В.Я.Баянкин.
Композиционное расслоение в поверхностных слоях фольги Ni-Cu при ионной имплантации.
Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

20 мин.

Перерыв 15 мин.

11.15 - 12.15

СЕКЦИЯ 2 (продолжение).

Председатель - д.ф.м.н., проф. В.В.Козловский.

4. О.Н.Горшков.

Модификация многофункциональных оксидных материалов ионным облучением.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

40 мин.

5. М.Ю. Барабаненков1), С.Н. Шилобреева2), Л.Л. Кашкаров2), А.Н. Пустовит1), В.И. Зиненко1), Ю.А.Агафонов1).
Перераспределение атомов железа при радиационных и термических воздействиях на кварц: экспериментальное моделирование воздействия космического излучения.
1) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка
2)Институт геохимии и аналитической химии им. В.И.Вернадского РАН, Москва

20 мин.

Перерыв на обед

13.30 - 15.00 Первая стендовая сессия (доклады с №1 по №29).

15.00 - 15.40

СЕКЦИЯ 2 (продолжение).

Председатель - д.ф.м.н., проф. Г.А. Качурин.
6. Л.Д. Богомолова, А.М. Борисов, Е.С. Машкова, А.С. Немов.
Исследование наноразмерных дефектов, созданных при облучении углеграфитовых материалов ионами азота.
Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им.М.Ю.Ломоносова

20 мин.

7.Н.Н.Андрианова1), А.М.Борисов1), Ю.С.Виргильев2), Е.С.Машкова1), А.С.Немов1), Е.А.Питиримова3), А.И.Сорокин2).
Закономерности разупорядочения структуры стеклоуглеродов высокодозной ионной бомбардировкой.
1) Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им.М.Ю.Ломоносова
2)ФГУП «НИИграфит», Москва
3)Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

20 мин.

15.55 - 16.55

СЕКЦИЯ 3. Эффект дальнодействия.

Председатель - д.ф.-м.н. Ю.П.Шаркеев.
1. В.И. Бачурин1), С.А. Кривелевич2).
Эффект дальнодействия в системе алюминий-никель.
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль

20 мин.

2. Ю.А.Менделева1), Д.И.Тетельбаум2), Е.В.Курильчик1).
Дальнодействующее влияние света на микротвердость фольг алюминия.
1) Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского
2) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

20 мин.

3. Е.С.Демидов, В.В.Карзанов, К.А Марков, В. В.Сдобняков.
Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона.
Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

20 мин.

Перерыв 15 мин.

17.15 - 18.00 Обзор докладов первой стендовой сессии.

Председатель - д.ф.-м.н. А.Ф.Вяткин.

26 октября, четверг.

10.00 - 11.20

СЕКЦИЯ 4. Ионно-лучевое формирование наноструктур, объектов спинтроники и их свойства.

Председатель - д.х.н., проф. Г.А Максимов.
1. Н.Н.Герасименко, Н.А.Медетов, К.К.Джаманбалин.
Наноструктуры, формируемые ионными пучками.
Московский институт электронной техники (ТУ)

40 мин.

2. С.А.Апрелов, Н.Н.Герасименко.
Фрактальные методы анализа степени упорядоченности наноструктур.
Московский институт электронной техники (ТУ)

20 мин.

3. С.Г. Черкова, Г.А. Качурин, Д.В. Марин, В.А. Володин, А.К. Гутаковский,
А.Г. Черков.
Особенности накопления дефектов в нанокристаллах Si при ионном облучении.
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск

20 мин.

Перерыв 15 мин.

11.35 - 12.35

СЕКЦИЯ 4 (продолжение).

Председатель - д.ф.м.н., Р.М. Баязитов.
4. А.Н. Михайлов1),2), Д.И. Тетельбаум1),2), О.Н. Горшков1), А.В. Ершов1), А.И. Белов1), Д.А. Камбаров1), В.К. Васильев1),2), А.И. Ковалев2), Д.Л. Вайнштейн2), R. Turan3), L. Pavesi4), T.G. Finstad5).
Свойства нанокристаллов кремния, сформированных и легированных методом ионной имплантации в различных оксидных матрицах.
1) Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
2) НТВП «Поверхность», Москва
3) Middle East Technical University, Ankara, Turkey
4) University of Trento, Povo (Trento), Italy
5) University of Oslo, Blindern, Norway

40 мин.

5. А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов.
Фотоэлектрические свойства оксида алюминия с наноразмерными частицами.
ФГНУ НИИ высоких напряжений Томского политехнического университета

20 мин.

Перерыв на обед

13.30 - 15.00 Вторая стендовая сессия (доклады с № 30)

15.00 - 16.00

СЕКЦИЯ 4 (продолжение).

Председатель - д.ф.-м.н., проф. А.А. Ежевский.
6. Д.А. Антонов1), Г.А. Вугальтер2), О.Н. Горшков1), А.П. Касаткин1), Д.О. Филатов2), М.Е. Шенина2).
Резонансное туннелирование электронов через нанокластеры, сформированные в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации.
1) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского
2)Нижегородский государственный университет им. Лобачевского

20 мин.

7. В.А.Беляков, В.А.Бурдов.
Междолинное смешивание в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами.
Нижегородский государственный университет им. Лобачевского

20 мин.

8. Ю.А. Менделева, Е.В. Киселева, Е.С. Коваленко, Д.В. Гусейнов, А.А. Ежевский, Д.И. Тетельбаум.
Эволюция структуры кремния при получении светоизлучающих слоев путем ионного облучения.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

20 мин.

Перерыв 15 мин.

16.15 - 17.35

СЕКЦИЯ 4 (продолжение).

Председатель - д.ф.-м.н., проф. Н.Н.Герасименко.
9. Ю.А.Данилов.
Ионно-имплантационное легирование полупроводников А3В5 примесями переходных элементов группы железа.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

40 мин.

10. Е.С. Демидов1), Ю.А. Данилов1-3), В.В. Подольский2, 3) , В.П. Лесников2, 3), М.В. Сапожников3), Ю. Н. Дроздов3), Д.М. Дружнов1).
Лазерно осаждённые наноразмерные эпитаксиальные слои на основе соединений А3В5, Ge и Si, пересыщенных примесями группы железа.
1) Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского
2) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского
3) Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

20 мин.

11. Р.И. Хайбуллин1), Ш.З. Ибрагимов 2), Л.Р. Тагиров 1,2), В.Н. Попок 3), И.Б. Хайбуллин1).
Динамика и особенности развития ферромагнитного отклика в рутиле (TiO2), имплантированном ионами кобальта.
1) Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН
2) Казанский государственный университет
3) Университет Гётеборга, Гётеборг, Швеция

20 мин.

19.00 Банкет.

27 октября, пятница.

9.30 - 11.20

СЕКЦИЯ 5. Актуальные вопросы применений ионной имплантации.

Председатель - д.ф.м.н., проф. Д.А.Павлов.
1. А.Ф.Вяткин.
Обзор докладов на Международной конференции по технологии ионной имплантации (IIТ 2006, 11-16 июня 2006 г., Марсель (Франция)).
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка

40 мин.

2. В.А. Быков
Минифабы с использованием фокусированных ионных пучков.
NT-MDT, Зеленоград

30 мин.

3. Н.А.Соболев.
Актуальные вопросы применения ионной имплантации для создания светодиодов на основе монокристаллического кремния.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт Петербург

20 мин.

4. С.А.Кривелевич, Е.В. Потапов, С.Г. Симакин, А.А. Цырулев.
Скрытые изолирующие силикатные слои: моделирование, ионный синтез, возможности применения.
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль

20 мин.

Перерыв 15 мин.

11.20 - 12.20 Обзор докладов второй стендовой сессии.

Председатель - д.ф.-м.н., проф. В.С. Хмелевская.

12.35 - 13.35

Заключительное заседание. Общая дискуссия.

Председатель - д.ф.-м.н., проф. Д.И.Тетельбаум.

15.00 Экскурсия.

СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

(Стендовые доклады вывешиваются в соответствии с присвоенными ниже номерами в день соответствующий стендовой сессии (не позднее 10.00))

СЕКЦИЯ 1. Физические проблемы имплантации в полупроводники. Образование и отжиг радиационных дефектов.

  1. Е.Л. Панкратов1), Д.И. Тетельбаум2).

Расчет эволюции вакансионных кластеров в кремнии с учетом диффузии и вторичных процессов.

1) Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

2) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

  1. Е.С. Демидов, В. В. Карзанов, В. В.Сдобняков.

Изменение состояния поверхности кремния после облучения ионами аргона при различных температурах.

Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

  1. Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, А.А. Бухараев, Д.А. Бизяев.

Образование дендритоподобной структуры при имплантации ионов Fe+ в кремний.

Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

СЕКЦИЯ 2. Физические проблемы ионной имплантации в неполупроводниковые материалы.

4. Н.Н.Андрианова1), А.М.Борисов1), Ю.С.Виргильев2), С.Ю.Люберцев3), Е.С.Машкова1), А.С. Немов1), А.И.Сорокин2).

Исследование обезгаживания стеклоуглерода при ионном облучении и термическом отжиге.

1)Научно-исследовательский институт ядерной физики имени. Д.В. Скобельцына

Московского государственного университета, Москва

2)ФГУП «НИИграфит», Москва

3)ГОУ ВПО «МАТИ»-Российский технологический университет имени К.Э.Циолковского, Москва

5. Л.Д. Богомолова1), Н.В. Бородулина2), А.М. Борисов2), Д.А. Козлов3),

А.С. Немов1).

Исследование углеродных пленок, получаемых с помощью бессепарационного имплантера с вакуумно-дуговым ионным источником.

1) НИИ ядерной физики им. Д.В.Скобельцына МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва

2) «МАТИ» - РГТУ им. К.Э.Циолковского, Москва

3) Московский государственный индустриальный университет, Москва

6. И.А. Файзрахманов, В.В. Базаров, А.Л. Степанов, И.Б. Хайбуллин.

Влияние имплантации ионов меди на оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных пленок.

Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

7. Р.И. Хайбуллин 1), О.Н. Лопатин2), А.И. Бахтин 2), И.Б. Хайбуллин 1). Геммологические аспекты ионной имплантации в минералы и их синтетические аналоги.

1) Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

2) Казанский государственный университет

3) Университет Гётеборга, Гётеборг, Швеция

8. Е.В.Коротков1), Д.А.Павлов1), Е.А.Питиримова1), Ю.А.Кабальнов2), Е.М.Любимов2).

Структура поверхности сапфира, подвергнутого бомбардировке ионами кремния.

1) Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

2) ФГУП НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, г Нижний Новгород

9. А.Б. Чигинева, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин

Анализ спектра фотолюминесценции монокристаллических пленок Cr4+:Ca2GeO4 в рамках многослойной модели.

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

10. П.В. Быков, Ф.З. Гильмутдинов, В.Я. Баянкин.

Изменение механических свойств и состава поверхности углеродистой стали в зависимости от параметров ионного облучения.

Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

11. Н.В. Гущина1), В.В. Овчинников1), Л.С. Чемеринская1), Т.А. Белых 1),

А.Р. Школьников2), С.М. Можаровский2), А.В. Филиппов2), Кайгородова3).

Изменение структуры и свойств нагартованного алюминиевого сплава ВД1 под действием облучения ионами Ar+.

1) Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург

2) Каменск-Уральский металлургический завод, Каменск-Уральский

3) Институт физики металлов, УрО РАН, Екатеринбург

12. М. В.Захватова, Ф.З. Гильмутдинов, Л.И. Паршуков, В.Я. Баянкин.

Влияние импульсного электронно-лучевого воздействия на состав тонких поверхностных слоев и свойства фольг Сu-Ni.

Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

СЕКЦИЯ 3. Эффект дальнодействия и смежные вопросы.

13. А.С.Алалыкин, Р.М.Закирова, П.Н.Крылов.

Слабый эффект дальнодействия при термообработке системы металл (Ti, Zr) - кремний.

Удмуртский государственный университет, Ижевск

14. А.А. Колотов, Ф.З. Гильмутдинов, В.Я Баянкин.

О механизмах фотостимулированных явлений.

Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

15. С.Н. Нагорных.

О квазилинейной диффузии и ее роли при облучении твердых тел.

Нижегородский государственный педагогический университет

16. И.В. Терешко1), О.В. Обидина1), А.М. Терешко1), В.В. Глущенко1),

И.Е. Елькин2).

Исследование взаимодействия низкоэнергетических ионов с кристаллическими телами методом компьютерного моделирования

1) Белорусско- Российский Университет, Могилев, Беларусь

2) Научно-производственное объединение “Кама”, Могилев, Беларусь

СЕКЦИЯ 4. Ионно-лучевое формирование наноструктур, объектов спинтроники и их свойства.

17. В.А.Бурдов1), А.М.Сатанин2), В.И.Василевский3), M.F.Cequeira3).

Образование локализованных электронных состояний в системе нанокристаллический кремний - аморфный кремний.

1)Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

2) Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

3)Universidade do Minho, Braga, Portugal

18. А.В. Ершов1), Д.М. Гапонова2), А.Н. Михайлов1), А.И. Белов1), А.А. Трухин1),

Г.А. Погребнов1), Д.А. Лаптев1), Д.И. Тетельбаум1).

Модификация люминесцентных свойств системы нанокристаллов кремния в диэлектрической матрице путем введения водорода.

1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

2) Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород

19. А.В. Ершов, А.А. Трухин.

Люминесценция нанопериодических структур a-Si/Al2O3, ионно-легированных сурьмой.

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

20. А.Л.Степанов, И.Б.Хайбуллин.

Формирование металлических наночастиц в диэлектрике при ионной имплантации и лазерном отжиге для приложений в нелинейной оптике. - 20 мин.

Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

21. В.С. Туловчиков1), В.К. Васильев1), О.В. Вихрова1), Ю.А. Данилов1), П.Б. Демина1), Б.Н. Звонков1), Е.И. Малышева1), Ю.Н. Дроздов2), А.В. Мурель2).

Фотоэлектрические свойства наноструктур c квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных на имплантированном буферном слое GaAs.

1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

2)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

22. О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.Н. Михайлов, В.А. Камин, А.П. Касаткин.

Дырочные центры в тонких пленках GeO2, облученных ионами кремния.

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

23. Н.А. Добычин, А.И. Белов, В.В. Карзанов, Ю.А. Менделева.

Фотолюминесценция ионно-синтезированных слоев SixNy.

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

24. Ю.И. Гатиятова 1,2), Р.И. Хайбуллин 1), Ш.З. Ибрагимов 2), Р.Г. Гатиятов 1,2),

Л.Р. Тагиров1,2), И.Б. Хайбуллин 1).

Исследование магнитных свойств корунда (Al2O3), имплантированного ионами кобальта.

1) Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

2) Казанский государственный университет

25. Д.М.Дружнов1), Е.С.Демидов1), Ю.А.Данилов2), В.В.Подольский2).

Ферромагнитные свойства сверхтонких слоёв германия и кремния, пересыщенных примесью марганца.

1)Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

26. Е.И. Малышева, Д.О.Филатов.

Исследование ферромагнитных полупроводников GaAs:Mn методом магнитно-силовой микроскопии.

Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

27. Д.В. Гусейнов, А.А. Ежевский.

Спиновая релаксация парамагнитных центров в моноизотопном кремнии 28Si.

Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

28. О.В. Обидина1), И.В. Терешко1), И.Е. Елькин2), S. Budak3), C. Muntele3), D. Ila3).

Формирование металлических наночастиц на поверхности SiO2 под действием низкоэнергетического облучения в плазме тлеющего разряда.

1) Белорусско-Российский Университет, Могилев, Беларусь

2) Научно-производственное объединение “Кама ВТ”, Могилев, Беларусь

3) Center for Irradiation of Materials, Alabama A&M University, Normal, Al, USA

29. О.В. Обидина1), И.В. Терешко1), И.Е. Елькин2), C. Muntele3), R. Minamisawa3),

D. Ila3).

Воздействие низкоэнергетического облучения в плазме тлеющего разряда на свойства стекловидного углерода (Glassy Polymeric Carbon).

1) Белорусско-Российский Университет, Могилев, Беларусь

2) Научно-производственное объединение “Кама ВТ”, Могилев, Беларусь

3) Center for Irradiation of Materials, Alabama A&M University, Normal, Al, USA

СЕКЦИЯ 5. Актуальные вопросы применений ионной имплантации.

30. В.П. Астахов1), А.М. Гуляев2), В.В. Карпов1), А.Д. Максимов3),

И.Н. Мирошникова2).

Результаты замены серийной радиационно-сплавной технологии изготовления фотодиодов из InSb на имплантационную.

1) ОАО "Московский завод "Сапфир"

2) Московский энергетический институт (ТУ)

3) Московская государственная академия тонкой химической технологии им.

М.В. Ломоносова (ТУ)

31. В.П. Астахов1), В.В. Карпов1), А.Д. Максимов2), У.Б. Якимов3).

Исследование многоэлементных малоразмерных ионно-легированных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведённого тока.

1) ОАО "Московский завод "Сапфир"

2) Московская государственная академия тонкой химической технологии

им. М.В. Ломоносова

3) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл.

32.Р.И.Баталов1), Р.М.Баязитов1), В.Б.Шмагин2), Д.И.Крыжков2), Г.Д.Ивлев3), П.И.Гайдук4).

Формирование светоизлучающих в ближней ИК-области твердых растворов и соединений кремния с 3d и 4f элементами с использованием ионной имплантации и импульсных воздействий.

1)Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН

2)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

3)Институт электроники НАНБ, Минск, Беларусь

4)Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь

33. Р.Г.Гатиятов1,2), П.А.Бородин2) , А.А.Бухараев1,2), Г.Г.Гумаров1,2), М.Ф.Галяутдинов2).

Исследование возможности формирования наноразмерных перемычек посредством ионно-лучевого травления.

1) Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН

2) Казанский государственный университет

34. О.Н. Горшков1), Е.М. Дианов2), М.Ф. Чурбанов3), И.А. Гришин3),

Ю.И. Чигиринский1), А.П. Касаткин1), Н.Н. Крюкова1), Т.Ю. Чигиринская1), И.Н.Антонов1), О.Е.Курносова1).

Канальные волноводы на основе вольфрам-теллуритных стекол, изготовленные методом ионной имплантации.

1) Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского

2) Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики РАН, Москва

3) Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

35. А.И.Камардин.

Модернизация установки ионной имплантации.

НПО «Академприбор», Ташкент, Узбекистан

36. М.И.Маковийчук.

Шумовой газовый сенсор - матричная ячейка мультисенсорной системы

«E-NOSE».

Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль

37. Е.В.Киселева, В.А.Козлов, С.В.Оболенский, А.В.Скупов.

Вентильный эффект в облученных ионами квазибаллистических GaAs и Si диодных структурах.

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

38. Т.Д. Раджабов, А.В. Шарудо, И.Е. Джамалетдинова.

К вопросу формирования оптических покрытий с сопутствующей ионной бомбардировкой.

НПО «Академприбор», Ташкент, Узбекистан

39. Т.Д. Раджабов, Р.Ю. Лейдерман, И.Е. Джамалетдинова.

К моделям ионно-ассистированного формирования многокомпонентных покрытий и родственных процессов.

НПО «Академприбор», Ташкент, Узбекистан

40. И.А. Цыганов1), А.И. Позднякова1), Э. Рихтер2), М.Ф. Майтц2).

Получение гомосовместимых покрытий на основе титана с помощью метода плазменно-иммерсионной ионной имплантации и осаждения металлов.

1) Липецкий государственный технический университет

2) Исследовательский центр, Россендорф, Германия

Смежные вопросы.

41. В.Н.Агарёв, Е.С.Демидов, С.Г.Полянчев.

Влияние заряда квантовой точки на энергетические состояния.

Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

42. Э.В. Доброхотов.

Квантование электронного спектра в тонких плёнках алюминия.

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

43. Э.В. Доброхотов, А.С.Кузнецова.

Моделирование диффузионных процессов в дислокационных кристаллах.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

44. А.А.Краснов.

Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия при отклонении от стехиометрии.

Нижегородская архитектурно-строительная академия,

45. Я.М. Мацкевич, М.А.Фаддеев.

Моделирование динамической дифракции рентгеновских лучей в кристаллах, подвергнутых изгибу.

Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского

46. О.А. Подсвиров.

Неабсорбционная природа затухания толщинных контуров в электронной микроскопии.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

47. С.Н.Нагорных1), В.И.Павленков2), В.Н. Перевезенцев3).

О бифуркациях уравнений Блохинцева в модели термостимулированной электронной эмиссии.

1) Нижегородский государственный педагогический университет

2) Арзамасский государственный педагогический институт им. А.П.Гайдара

3) Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Скачать:Скачать файлschedule.pdf
Просмотров›11340   Оставить свой комментарий
 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100