Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум

История кафедры

Физики полупроводников и оптоэлектроники (ФПО)
История кафедры
проф. А.Е. БрюхановВ 1933 г. в Горьковском государственном университете в области рентгенографии металлов работали проф. Я.С. Уманский, Н.М. Симанович, М.М. Чердок. Под их руководством на базе отдела металлофизики НИРФИ (научно-исследовательский радиофизический институт)в 1934 г.была организована кафедра физики металлов. Первым заведующим кафедрой стал проф. Г.И. Аксенов. С 1937 по 1945 гг. кафедру возглавлял проф А.Е. Брюханов. Первый выпуск кафедры был в 1937 году. доц. А.К. ШевелевСреди выпускников А.К. Шевелев - будущий проректор Горьковского университета, был заведующим кафедрой с 1946 по 1962 г., А.В. Белюстин - один из ведущих ученых в области роста кристаллов, возглавлявший кафедру в период с 1962 по 1968 г., проф. Б.А. Апаев - доктор технических наук зав. отделом ГИФТИ (Горьковский исследовательский физико- технический институт), организатор кафедры физики металлов физического факультета в 1967 г, В.Н. Щербаков - первый заведующий кафедрой экспериментальной физики, образованной на физико-математическом факультете в 1954 г, заведующий лабораторией рентгенографии ГИФТИ. Выпускник 1938 г. Б.М. Носков в течение ряда лет возглавлял физико-математический факультет, был первым деканом образованного в 1959 г. физического факультета, заведующим кафедрами экспериментальной физики и строения вещества. Среди выпускников кафедры - В.И. Широков, ректор университета в 1955-1961 гг., организатор кафедры строения вещества.
Академик Н.В.Белов читает лекцию10 февраля 1946 г. на физико-математическом факультете состоялась научная конференция, на которой с докладами выступали профессора из института кристаллографии АН СССР (г. Москва) Н.В. Белов, А.В. Шубников, З.Г. Пинскер. Но приезд, организованный по инициативе одного из первых выпускниов кафедры зам. Директора Института кристаллографии АН СССР Л.М. Белаева и зав. кафедры металлофизики А.К. Шевелева, преследовал цель организации базы подготовки кристаллографических кадров для страны.
В апреле 1946 г. вышел приказ об открытии на физическом факультете ГГУ кафедры кристаллографии во главе с профессором Н.В. Беловым.
'Организаторы
Сидят: зав. каф. доц. А.К. Шевелев, доц. А.В. Белюстин, академик А.В. Шубников, студенты В.Н. Белоусова, А.Е. Елесина, Е.А. Софиенкова; стоят: ассистент Т.Н. Тархова, проф. З.Г. Пинскер, студ. В.И. Мокеева, чл.-корр. АН СССР проф. Н.В. Белов

Одновременно была усилена профессором З.Г. Пинскером кафедра физики металлов. Обе кафедры работали по единому учебному плану. В период укрепления кафедр они были слиты в одну - кристаллографии и физики металлов со специализацией в области как кристаллографии, так и физики металлов. Заведующим объединенной кафедрой стал доц. А.К. Шевелев. проф. А.В. Белюстин На кафедре совместно с ГИФТИ была организована подготовка студентов и получило развитие кристаллографическое научное направление. Развитие научного направления по росту кристаллов, основанного А.В. Шубниковым, активно продолжил доцент А.В. Белюстин, возглавлявший кафедру в период 1962-1968 гг. Основы исследований в области рентгеноструктурного анализа кристаллов были заложены Н.В. Беловым. К этим работам подключилась Т.Н. Тархова. В области электронографии металлических фаз под руководством З.Г. Пинскера активно работал заведующий лабораторией ГИФТИ С.В. Каверин.
Выпускники кафедры кристаллографии и физики металлов сыграли важную роль в развитии выделившегося в 1959 г. из состава физико-математического факультета Горьковского университета физического факультета.
 

Кафедра физики диэлектриков и полупроводников

Кафедра физики диэлектриков и полупроводников (ФДП) создана на физико-математическом (с 1959 г. - физическом) факультете ГГУ в феврале 1958 г. Ее организатором и первым заведующим был доктор технических наук, профессор К. А. Водопьянов (1908 - 1962) - известный ученый в области физики диэлектриков, который незадолго до этого перешел на работу в Горьковский университет из Томского университета, где он прошел путь от студента до профессора. В 1959 г. приступил к работе на кафедре приглашенный из Ленинградского университета доцент И.А. Карпович, возглавивший полупроводниковое направление учебной и научной работы кафедры. После скоропостижной смерти проф. К.А. Водопьянова в декабре 1962 г. руководство кафедрой было возложено на И.А. Карповича (с 1975 г. профессора), который заведовал кафедрой почти 35 лет до ее объединения с кафедрой кристаллографии и оптоэлектроники в 1997 г.

Профессор К. А. Водопьянов

Профессор И. А. Карпович

П рофессор К. А. Водопьянов

Профессор И. А. Карпович

За почти 40 лет своего существования кафедра ФДП оставила заметный след в истории физического факультета. Она первой на физическом факультете и в университете начала подготовку специалистов по полупроводникам, в которых в 60-х годах возникла острая потребность в НИИ и на промышленных предприятиях электронного профиля г. Горького в связи с их переходом на полупроводниковую элементную базу и микроэлектронику. С учетом студентов вечернего отделения на кафедре было подготовлено по полупроводниковым специальностям около 900 специалистов, многие из которых стали кандидатами и докторами наук, а выпускник 1967 года Н. Демидов и соискатель кафедры Н. Салащенко избраны чл.-корреспондентами Российской Академии Наук. На кафедре подготовлены 3 доктора (И.А. Карпович, М.А. Ризаханов, Б.И. Бедный) и около 30 кандидатов наук, некоторые из которых позже стали докторами наук (А.А. Червова, Н.Н. Салащенко). Профессором И.А. Карповичем созданы в Нижегородском университете научно-педагогический коллектив по физике полупроводников, представителями которого в настоящее время являются профессор Б. И. Бедный, ведущий научный сотрудник НИФТИ Б.Н. Звонков, доценты Н.В. Байдусь, С. В. Тихов, Д.О. Филатов, Н.В. Федосеева, кандидат наук С. В. Планкина, и научная школа по физике поверхности полупроводников и низкоразмерных гетеронаноструктур.

0x01 graphic

Важную роль в развитии научного направления и подготовки высококвалифицированных кадров на кафедре сыграло создание почти одновременно в ГИФТИ сначала небольшой группы, а затем и так называемой базовой научной лаборатории, работавшей с кафедрой по единому научному направлению. В настоящее время это группа эпитаксиальной технологии ГИФТИ, возглавляемая учеником проф. И.А. Карповича кандидатом наук Б.Н. Звонковым. Кафедрой и лабораторией выполнен широкий цикл исследований по разработке метода газофазной эпитаксии арсенида галлия и его твердых растворов из металлорганических соединений, выяснению условий выращивания качественных гетеронаноструктур с квантовыми ямами и точками, разработке методов диагностики электронных параметров и изучению электронных и фотоэлектронных явлений в этих структурах. По этой тематике под руководством проф. И.А. Карповича в последние годы защитили кандидатские диссертации аспиранты Д.О. Филатов, С.М. Планкина, С.В. Морозов, Е.Л. Шоболов, О.Н. Горшков, А.П. Здоровейщев. На основе гетероструктур с квантовыми ямами Б.Н. Звонковым были разработаны инжекционные полупроводниковые лазеры, не уступающие по параметрам зарубежным аналогам. Мощный импульс развитию этих исследований придала организация в 1998 г. в рамках Российско-американской программы Научно-образовательного центра (НОЦ) сканирующей зондовой микроскопии, преобразованного в 2001 г. в НОЦ «Физики твердотельных наноструктур», оснащенного уникальным оборудованием для сканирующей зондовой микроскопии и оптических исследований.

В 1997 г. по взаимной инициативе заведующих кафедрами профессоров И.А. Карповича и А.Ф. Хохлова было принято решение о создании на базе кафедр ФДП и Кристаллографии и оптоэлектроники объединенной кафедры Физики полупроводников и оптоэлектроники, что и было осуществлено приказом ректора ННГУ 19 июня 1997 г. Развитие научно-педагогического направления, сложившегося на кафедре ФДП, на этом не закончилось, а продолжилось на объединенной кафедре.

С 1962 г. на факультете началась подготовка студентов по специальности "Полупроводники и диэлектрики". Выпускник кафедры кристаллографии и физики металлов П.В. Павлов, ученик Н.В. Белова в 1964 г. организовал кафедру электроники твердого тела и стал ее первым заведующим, а в период 1966-1968 гг. был деканом физического факультета. Выпускник кафедры В.П. Головачев возглавлял факультет с 1971 по 1974 гг., а проф. В.А. Пантелеев был деканом факультета в 1968-1971 гг. и 1988-1994 гг. и заведующим кафедрами экспериментальной физики и физики полупроводниковых приборов.
доц. В.Н. Портнов доц. Т.Н. ТарховаВ 1967 г. после образования на физическом факультете кафедры физики металлов кафедра кристаллографии и физики металлов была преобразована в кафедру кристаллографии и полностью перешла на специализацию "Кристаллография и структурный анализ". На кафедре начали читаться новые курсы лекций: теория дифракции, экспериментальные методы рентгеноструктурного анализа, рентгенография реальных кристаллов, кристаллизация и рост кристаллов. Преподавание дисциплин, связанных с исследованием реальной структуры кристаллов, вели доц. А.К. Шевелев, асс. М.А. Мочалова, асс. Р.В. Кудрявцева; доц. А.В. Белюстин, доц. В.Н. Портнов (зав. кафедрой в 1971-1974 гг.), асс. Э.Д. Рогачева обеспечивали "ростовое" направление кафедры. Подготовку кристаллографов-структурщиков осуществляли доц. Т.Н. Тархова (зав. кафедрой в 1968-71 гг.), старш.преп. В.П. Головачев, асс. Э.А. Кузьмин. проф. Э.А. Кузьмин
B 1974 г. кафедру кристаллографии возглавил молодой доктор наук Э.А. Кузьмин. Именно в этот период кафедра становится победителем социалистического соревнования кафедр университета. Многие сотрудники кафедры кристаллографии и лаборатории ГИФТИ защищают кандидатские диссертации, на кафедру приходят молодые ассистенты.

Кафедра кристаллографии стала кузницей кристаллографических научных и педагогических кадров. Сотни учеников кафедры работают в Горьком, Новосибирске, Кишиневе и других городах страны. Среди них заслуженные деятели науки и техники, лауреаты государственной премии, лауреат академической Федоровской премии, ученые, удостоенные наград ВДНХ, доктора и кандидаты физ.-мат. наук.
В начале 80-х гг. Горьковский университет, как и многие ведущие вузы страны, откликаясь на требования времени, переходит к целевой подготовке специалистов для предприятий и научных учереждений. Растущие потребности полупроводниковой и радиоэлектронной промышленности города заставляют физический факультет увеличивать число студентов, специализирующихся в области физики полупроводников. В этот период кафедра кристаллографии вынуждена переориентироваться и начать подготовку специалистов по оптоэлектронике. На кафедре происходят значительные кадровые изменения.

Профессор А.Ф. Хохлов - заведующий кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники. 1984 - 2003 гг.

проф. А.Ф. Хохлов на семинаре С 1984 по 1997 гг. - заведующим кафедрой кристаллографии, а затем кристаллографии и оптоэлектроники был доктор физико-математических наук, профессор А. Ф. Хохлов, а с 1997 по 2003 гг. - заведующим кафедрой физики полупроводников и оптоэлектроники.
Развитие кафедры с 1984 г. до наших дней определялось мыслями и деяниями А.Ф. Хохлова, его творческой инициативой. Он был реформатором науки и, несомненно, еще долгое время кафедра будет жить его идеями.

В 1984 г. заведующим одной из старейших кафедр университета (с 1946 г.) "Кристаллографии" был назначен доктор физико-математических наук, профессор А.Ф. Хохлов. Подготовка специалистов в то время велась по специальности 2016 "Физика" со специализацией "Кристаллография и структурный анализ". Это было время, когда в области физики твердого тела ведущую роль стали занимать полупроводники и для промышленности (электронной техники) возникла необходимость в специалистах этого профиля. В связи с этим в 1985 г. на физическом факультете ГГУ была открыта специальность 0604 "Полупроводники и диэлектрики". Подготовку специалистов поручили четырем кафедрам факультета: кристаллографии, физики диэлектриков и полупроводников, физики твердого тела, и кафедре полупроводниковых приборов.

1984 г.

С 1984 г. кафедра активно включилась в программу "Целевая интенсивная подготовка специалистов" (ЦИПС), в которой по специальности 0604 являлась ведущей. По инициативе зав. кафедрой проф. А.Ф. Хохлова и активном участии доц. Е.А. Солдатова был разработан и утвержден Минвузом СССР типовой учебный план по специальности 0604 ЦИПС, разработаны новые курсы "Системный анализ", "Автоматизированные системы научных исследований", "Математическое моделирование физических процессов", "Основы научно-технического творчества" и другие. По этому плану велась подготовка кадров и в других университетах страны. В согласии с заинтересованными министерствами различных отраслей промышленности была разработана и утверждена квалификационная характеристика специалиста. Программа ЦИПС была направлена на автоматизацию научных исследований и предусматривала непрерывное использование в учебном процессе вычислительной техники. Росла материальная база, кафедра интенсивно оснащалась вычислительной техникой.

1986 г.

В 1986 г. началась организация в Горьковском институте "Салют" филиала кафедры и был заключен договор о целевой интенсивной подготовке специалистов для ГИ "Салют". Неотъемлемой частью договора было распределение на предприятие "Салют" студентов 4-5 курсов для выполнения курсовых, дипломных работ и прохождения производственной практики с последующим трудоустройством молодых специалистов в подразделениях института. К этому времени между кафедрой "Кристаллографии и оптоэлектроники" и ГИ "Салют" сформировались взаимовыгодные производственные отношения. Преподаватели кафедры вели хоздоговорную работу по тематике подразделений института "Салют", участвуя в НИР и ОКР института. Создание филиала было утверждено приказом министра среднего и специального образования № 60 от 23.01.86 г., а в 1987 году на конкурсной основе были зачислены в штат кафедры ведущие специалисты ГИ "Салют".

В филиале кафедры студентам читались учебные дисциплины: "Теоретические основы электрорадиотехники" - 3 курс, кандидат технических наук О.С. Орлов, "Системы автоматизированного проектирования" - 4 курс, кандидат технических наук Г.М. Смыслов, "Физические технологии основы производства микроэлектронных интегральных схем" - 4 курс, доктор технических наук Б.В. Козейкин и кандидат технических наук П.Б. Болдыревский, директор ГИ "Салют" - Чеботарев читал курс лекций "Организация и управление коллективом" для студентов 5 курса. Под руководством специалистов в лабораториях и отделах института студенты проходили технологическую и вычислительную практику, выполняли курсовые и дипломные работы. После окончания университета многие из них были распределены на работу в подразделения института. Образовательная и научная деятельность кафедры вышли за рамки кристаллографического направления, кроме того, в связи с перечнем специализаций, предложенных Госкомвузом СССР, была выбрана специализация "оптоэлектроника" - и кафедра стала называться "Кафедра кристаллографии и оптоэлектроники" - это название сохранилось до 1997г.

Коллектив кафедры ФПО в 1986г.

КОЛЛЕКТИВ КАФЕДРЫ В 1986 г.
(слева направо: 1 ряд - доц. Р.В. Кудрявцева, инженер Ю.А. Мордвинова, зав. лаб. Л.А Чередник, инженер Т.М. Рыжкова, доц. Е.А. Солдатов;
2 ряд - доцент А.И. Машин, инженер В.Н. Трушин, проф. А.Ф. Хохлов, ассистент Д.А. Павлов, доцент Е.В. Чупрунов.)

1987 г.

В 1987 г. учитывая все возрастающую потребность промышленности в специалистах электронной техники по инициативе декана физического факультета, проф., д.ф.-м.н. А.Ф. Хохлова физический факультет был переименован в факультет "Прикладной физики и микроэлектроники" - увеличился прием студентов, повысился конкурс абитуриентов.

1988 г.

В 1988 г., в связи с переходом всей системы высшего образования на новые специальности, подготовка кадров велась по специальности 2002 "Физика материалов и компонентов электронной техники", отнесенной к категории специальностей новой техники и технологии.

1989 г.

В 1989 г. Минвузом СССР по специальностям 2002 и 2003 были утверждены 5 специализаций. Кафедра стала готовить специалистов по специализации 20.02.01 "Материаловедение элементной базы микро- и оптоэлектроники". Секцию университетов (12 университетов) в Учебно-методическом объединении СССР по этим специальностям возглавлял Горьковский университет. При активном участии сотрудников кафедр КРиО, ФДП, ЭТТ и ПП были разработаны типовые учебные планы, программы курсов, квалификационные характеристики. Все эти документы были утверждены Госкомобразованием и введены в действие в 12 университетах страны.

1988 - 1992 гг.

С 1988 по 1992 гг. подготовка специалистов велась по двум специальностям: 0604 "Полупроводники и диэлектрики" - ЦИПС, 2002 "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники".

В 1992 г. вузы страны переходили на многоуровневую систему образования. Под руководством проф. А.Ф. Хохлова преподаватели кафедры (доц. Е.А. Солдатов, Р.В. Кудрявцева) участвуют в разработке многоуровневой системы образования по специализирующим направлениям на кафедре.

Кафедра принимает активное участие в разработке типовых и учебных планов бакалавров по направлению "Электроника и микроэлектроника".

1993 - 1994 гг.

В 1993-94 гг. в соответствии с Гумбальтовской программой образования к учебному процессу стали шире привлекаться сотрудники НИФТИ. В рамках этой программы в 1993 году на кафедре на базе 14 лабораторий НИФТИ и усилиями сотрудников кафедры создана новая специализация "Компьютерные технологии в физических исследованиях". Позитивную роль в рождении новой специализации сыграла программа "Целевой интенсивной подготовки специалистов". На освободившиеся ставки филиала в ГИ "Салют", который в силу объективных обстоятельств перестал существовать, были оформлены в качестве совместителей сотрудники НИФТИ - В.Р. Фидельман, Н.А. Будников, О.А. Морозов, которые совместно с преподавателями кафедры разработали учебный план новой специализации, программы к лекционным курсам 9 дисциплин и лабораторные практикумы 7 дисциплин.

Подготовка кадров велась в это время по специальности 2002 "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники" и двум специализациям: "Материаловедение элементной базы микро- и оптоэлектроники" и "Компьютерные технологии в физических исследованиях".

1996 г.

В 1996 г. на базе второй специализации была открыта специальность "Информационные системы в физике", обусловленная возросшей потребностью промышленности в специалистах-физиках данного профиля. Из кафедры кристаллографии и оптоэлектроники была выделена кафедра "Информационные технологии в физических исследованиях", заведующим которой был назначен доцент В.Р. Фидельман.

1997 г.

1997 году кафедры "Кристаллографии и оптоэлектроники" и "Физики диэлектриков и полупроводников" были объединены в одну кафедру, которая стала называться кафедрой "Физики полупроводников и оптоэлектроники". (Зав. каф. - проф. А.Ф. Хохлов). Кристаллографическое направление отошло на кафедру "Экспериментальной физики" - возникла кафедра "Кристаллографии и экспериментальной физики" (Зав. кафедрой - проф. Е.В. Чупрунов).

Коллектив кафедры ФПО в 1997г.

КОЛЛЕКТИВ КАФЕДРЫ В 1997 г.
(слева направо: 1 ряд - ассистент В.Н. Трушин, доц. Р.В. Кудрявцева, вед. электроник И.А. Карабанова, зав. лаб. Л.А Чередник, инженер М.С. Козичева, инж. Е.А. Питиримова, доц. А.И. Машин; 2 ряд - доц. Д.А. Павлов, ассистент Д.А. Хохлов проф. А.Ф. Хохлов, доценты В.П. Головачев, инженер Е.В. Куприянов, ст. преп. А.А. Жолудев, доц. Е.А. Солдатов; 3 ряд - докторант А.А Ежевский, доц. А.В. Ершов, аспирант С. Овсецин)

1998 - 2003 гг.

НОЦ СЗМ, октябрь 2000 г
слева направо: зам. министра образования России Ю.В. Шлёнов; ректор ННГУ, проф. А.Ф. Хохлов; проректор по научной работе ННГУ, проф. Г.А. Максимов
1998 г. ознаменовался организацией на базе Научно-исследовательского физико-технического института и физического факультета ННГУ Научно-исследовательского и образовательного центра сканирующей зондовой микроскопии (НИОЦ СЗМ ННГУ). Центр был организован в рамках совместной российско-американской программы "Фундаментальные исследования и высшее образование" по инициативе ректора ННГУ профессора А.Ф. Хохлова и директора НИФТИ ННГУ профессора Г.А. Максимова.
Кафедра "Физики полупроводников и оптоэлектроники" включилась в решение задач центра. Уникальное оборудование центра и высоко профессиональный профессорско-преподавательский состав кафедры, а также научных сотрудников позволил организовать в этом же 1998 г. новую специализацию "Физика твердотельных наноструктур". Заметно вырос уровень научных исследований, возросло число публикаций. Сотрудники и студенты кафедры являются участниками российских и зарубежных конференций. В результате успешной работы центра тематика научных работ концентрируется в области технологии получения материалов со структурой наноразмерного масштаба и изучения их физических свойств и выходит за рамки метода сканирующей зондовой микроскопии. (СЗМ является методом исследования таких материалов). Создана лаборатория оптической спектроскопии наноструктурированных материалов, приобретено новое уникальное оборудование. Новая расширенная материальная база центра, более широкая научная тематика не вписываются в рамки старого названия центра - теперь он называется "Физика твердотельных наноструктур" (НОЦ ФТНС).
 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100