Физический факультет ННГУ
Вход Регистрация Карта сайта Форум
Физические основы методов управления спиновой плотностью в наноструктурах спинтроники
Д.В. Хомицкий 25.01.2012 18:39:51   Просмотров›1675
Пособие содержит введение в физические принципы и некоторые математические модели для описания свойств спиновой плотности и методов управления ими в различных полупроводниковых наноструктурах с большой величиной спин-орбитального взаимодействия. На простых примерах объясняется роль спин-орбитального взаимодействия, позволяющего создавать управляемые в пространстве и во времени конфигурации спиновой плотности, важных для развития немагнитной спинтроники, где управление спином осуществляется без приложения внешнего магнитного поля. Пособие содержит как введение в физику низкоразмерных систем со спин-орбитальным взаимодействием, так и результаты недавних исследовательских работ автора, а также вопросы различной степени сложности для самостоятельного исследования.
Исследование характеристик диодов Шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами
С.В. Тихов, П.А. Шиляев 26.10.2011 14:49:07   Просмотров›1849
С.В. Тихов, П.А. Шиляев ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДА ШОТТКИ НА ОСНОВЕ GaAs С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ: практикум – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 16 с.
Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход
Шиляев П.А., Павлов Д.А. 24.02.2011 16:11:41   Просмотров›3674
Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход. Учебно-методическое пособие. /Сост. Шиляев П.А., Павлов Д.А. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2009. – 18 с.
Магнитотранспорт и оптика полупроводниковых решеточных структур спинтроники
А.А.ПЕРОВ, Л.В.СОЛНЫШКОВА 10.12.2010 13:04:08   Просмотров›2414
Исследуются квантовые состояния в низкоразмерных полупроводниковых структурах n-типа со спин-орбитальным взаимодействием. Находятся электронные волновые функции, энергетический спектр двумерных полупроводниковых сверхрешеток в присутствии постоянного магнитного поля. Изучены транспортные и оптические явления в присутствии взаимодействия Рашбы и Дрессельхауза, в том числе целочисленный квантовый эффект Холла в 2-Dэлектронном газе. Обсуждаются методы экспериментального изучения эффектов спин-орбитального взаимодействия. Данное пособие предназначено для студентов старших курсов физического ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 010700 «Физика», 210600 «Нанотехнология», 210100 «Электроника и микроэлектроника», специальностям 010701 «Физика», 210601 «Нанотехнология», 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» и специализирующихся в области физики наноструктур.
Расчет энергетических зон, спиновой поляризации и транспорта в наноструктурах со спин-орбитальным вз
Д.В. Хомицкий 02.05.2007 17:30:54   Просмотров›4364
Описание лабораторной работы содержит теоретическое введение и задачи для самостоятельного исследования студентами по расчету энергетических зон, спиновой поляризации и транспорта в наноструктурах со спин-орбитальным взаимодействием Рашбы и Дрессельхауза. Пособие предназначено для использования в рамках курсов «Вычислительная физика», «Дополнительные главы квантовой механики», «Методы математического моделирования», «Дополнительные главы физики твердого тела», «Спинтроника», читающихся студентам высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 010700 «Физика» и 210600 «Нанотехнология».
Физические основы современной микроэлектроники
Вугальтер Г.А. 04.04.2007 18:00:08   Просмотров›5565
В пособии рассмотрены энергетические спектры электронов в прямоугольной и параболической квантовой яме. Рассмотрено туннелирование электрона через статический потенциальный барьер, а также через барьер, высота которого изменяется во времени. Дан вывод двузондовой формулы Ландауэра. Подробно проанализировано резонансное туннелирование через двухбарьерную структуру, найдена ВАХ резонансно-туннельного диода.
Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs
Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О. 03.11.2006 15:37:13   Просмотров›4571
Описание лабораторной работы
Исследование квантово-размерного эффекта Штарка
Горшков А.П., Карпович И.А. 03.11.2006 15:36:27   Просмотров›4760
Описание лабораторной работы
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС
Н.В. Байдусь, Б.Н.Звонков 03.11.2006 15:26:30   Просмотров›4661
Описание лабораторной работы
Полупроводниковые сверхрешетки
Вугальтер Г.А., Бурдов В.А. 03.11.2006 15:22:03   Просмотров›6979
Методические указания по курсу низкоразмерных систем
 
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп.3,
тел. (831) 462-33-02. e-mail: dekanat@phys.unn.ru

Яндекс цитирования Rambler's Top100